固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

涵盖白色家电、例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。通风和空调 （HVAC） 设备、（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以支持高频功率控制。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，例如，以及工业和军事应用。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，在MOSFET关断期间，工业过程控制、

设计应根据载荷类型和特性进行定制。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。还需要散热和足够的气流。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，航空航天和医疗系统。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。该技术与标准CMOS处理兼容，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，如果负载是感性的，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，以创建定制的 SSR。从而简化了 SSR 设计。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

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